Экспериментальные 512 Мбит чипы были произведены по техпроцессу 80 нм, при напряжении 2 вольта они работали на эффективной частоте 4 ГГц. К слову, пределы изменения, подаваемого на чипы, напряжения составляют 1,4-2,1 вольта.

Память, запущенная на частоте 4 ГГц, обеспечит пропускную способность 16 Гб/с. В случае если такие чипы будут размещены на видеокарте, обладающей 256-бит шиной, то результирующая пропускная способность составит 128 Гб/c, что в два раза больше, чем у Radeon X1950 XTX, единственной видеокарты с GDDR4 на борту. Если же представить, что будущее поколение графических процессоров будет предоставлять 512-бит доступ к памяти, то суммарная пропускная способность всех каналов составит ошеломляющих 256 Гб/с.

Первоначально ожидалось, что в этом году чипы GDDR4 покорят только рубеж в 2,8 ГГц, в следующем году должны были появится GDDR5, синхронизированные на работу при частоте 3,5 ГГц. Только в 2009 году частота GDDR5 должна была приблизится к искомым 4 ГГц. Новые чипы Samsung нарушают этот план крупнейших производителей памяти. Если удалось Samsung, то в скором времени мы можем услышать об аналогичных успехах, например, от Hynyx.