Бесплатно игровая валюта для более 200 игр, а так же ОКи
Компания Hynix анонсировала получение ратификации компонентов и модулей памяти DDR3 от Intel. Новинки, получившие ратификацию: DDR3 SDRAM емкостью 1 Гбайт, изготовленные по нормам 80 нм техпроцесса и DDR3 Unbuffered-DIMM емкостью 1 Гбайт и 2 Гбайт. Как утверждает разработчик, модели функционируют на частоте 800 МГц и 1066 МГц, а напряжение равно 1,5 В. При 800 МГц задержки памяти составляют 5-5-5 и 6-6-6, при 1066 МГц - 7-7-7.  Модули памяти DDR3 обладают на 25% меньшим энергопотреблением, по сравнению с доминирующим в данный момент стандартом DDR2. Архитектура трехмерных транзисторов Hynix, как сообщают представители компании, также позволяет сократить энергопотребление, а, кроме того, улучшить стабильность работы. Как сообщили в Hynix, массовое производство модулей памяти 1Gb DDR3 по нормам 80 нм техпроцесса должно начаться в третьем квартале этого года, а ближе к концу года планируется перейти на 66 нм техпроцесс.
|
