Бесплатно игровая валюта для более 200 игр, а так же ОКи
Объявляя об очередном серьезном успехе в развитии технологии полупроводниковых микросхем, компания IBM опубликовала своеобразный отчет, в котором перечислила десять своих основных достижений в этой области за последние десять лет. Хотя этот материал нельзя назвать новостью в буквальном смысле, надеемся, он будет интересным для всех, кто следит за развитием микроэлектроники, и может стать прекрасной иллюстрацией того, как стремителен поток инноваций в этой отрасли. Обратите внимание, четыре из десяти пунктов списка приходятся на один год, и этот год еще не завершен!  В 1997 IBM была зачинателем перехода от алюминиевых проводников к медным. Он позволил на 15% увеличить производительность чипов. Этот пункт открывает список, который полностью выглядит так:
Переход на медные проводники - сентябрь 1997.
Технология SOI («кремний на изоляторе») – август 1998 года.
«Напряженный кремний» - июнь 2001 года.
Первые в мире двухъядерные микропроцессоры (POWER4) – октябрь 2001 года.
Иммерсионная литография – декабрь 2004 года.
«Замороженный чип» SiGe (работа кремний-германиевого чипа на частоте выше 500 ГГц при температуре, близкой к абсолютному нулю) – июнь 2006 года.
Диэлектрики с большой диэлектрической постоянной (high-k) – январь 2007 года.
Интеграция eDRAM в микропроцессоры – февраль 2007 года.
Трехмерная компоновка чипов с применением технологии through-silicon vias («связи сквозь кремний») – апрель 2007 года.
Нанотехнология «самосборки» – май 2007 года. Так, усилиями специалистов IBM Labs и их коллег из других компаний полупроводниковые чипы, строительные кирпичики эры информационных технологий, существенно преображаются год за годом, становясь все меньше, производительнее и энергетически эффективнее. источник: www.iXBT.com
|
