Бесплатно игровая валюта для более 200 игр, а так же ОКи
Одной из насущных проблем современной полупроводниковой техники является перегрев электронных компонентов. Транзисторы нагреваются как в процессе внутренней токовой нагрузки, так и от внешних источников тепла. При нагреве до определенной критической температуры может случиться тепловой пробой, который сопровождается разрушением структуры вещества и является необратимым процессом. Во избежание перегрева полупроводников приходится применять радиаторы, вентиляторы, водоблоки и прочие системы охлаждения.
Компания Fujitsu создала транзисторы, которые не нуждаются в охлаждении даже при длительной работе на очень высоких (для полупроводников) температурах. Инженерам Fujitsu Laboratories удалось разработать технологию создания таких транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT, high electron-mobility transistors), которые могут работать при температуре канала 200 градусов Цельсия и стоковом напряжении 50 В на протяжении более миллиона часов, или порядка 100 лет. Отмечается, что эти транзисторы удобно применять в устройствах, обслуживающих высокоскоростные беспроводные коммуникации (VSAT, WiMAX, сотовые базовые станции и прочее), которые требуют всё большей мощности, повышения быстродействия полупроводниковых деталей и надежной работы в тяжелых температурных условиях.  Новые транзисторы построены не на кремнии, а на основе нитрида галлия (GaN), при этом в качестве субстрата применяется карбид кремния (SiC). В пресс-релизе компании Fujitsu отмечается, что GaN HEMT-транзисторы являются лучшими в своём классе по максимальному рабочему напряжению на стоке (50 В). Предыдущий рекорд достиг отметки 28 В, так что прогресс в области галлиево-нитридных транзисторов очевиден.  Детали новой технологии были представлены на мероприятии IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2007. Fujitsu обещает не останавливаться на достигнутом и продолжить работу в этом перспективном направлении. источник: www.3DNews.ru
|
