Бесплатно игровая валюта для более 200 игр, а так же ОКи
JEDEC опубликовала финальный вариант спецификаций стандарта оперативной памяти DDR3. Напомним, что новый стандарт обладает большей пропускной способностью, наряду с меньшим энергопотреблением, по сравнению с предшествующими поколениями памяти DDR1 и DDR2. К примеру, для питания одного модуля памяти DDR3 требуется напряжение 1,5 В, в то время как DDR2 требует 1,8 В, а DDR1 - 2,5 В.  Кроме того, JEDEC был также увеличен диапазон температур, при которых способны функционировать чипы памяти. Вместе с тем, модули DDR3 рассчитаны на работу с числом транзакций 800-1600 MT/s (million transfers per second), при этом объем чипов памяти может варьироваться от 512 Мбит до 8 Гбит, а упакованы чипы могут быть как монолитно, так и группами, логически интегрированными в единую схему. Напомним, что модули памяти DDR3 как и DDR2 обладают 240-контактным соединением, однако, они не совместимы между собой. JEDEC также опубликовала и спецификации для модулей DDR3 SO-DIMM, использующихся в ноутбуках, а также небуферизованной и регистровой памяти. На данный момент, новый стандарт памяти поддерживается некоторыми чипсетами, входящими в семейство Intel Bearlake. Как ожидают в Intel, DDR3 станет основным стандартом на рынке уже в следующем году, после релиза наборов системной логики - Eaglelake. Представители AMD сообщают, что поддержка нового стандарта будет реализована инженерами компании в 2008 году в процессорах Socket AM3. О начале производства модулей памяти DDR3 уже объявили: Corsair, G.Skill, Kingston, OCZ, Super Talent.
|
