Для записи информации в PRAM используются разные фазовые состояния материала – кристаллическое и аморфное. Изменение состояния происходит под действием электрических импульсов. Основы PRAM были заложены в шестидесятые годы прошлого века Стэнфордом Овшинским. Талантливый самоучка, инженер и изобретатель, он стал первым исследователем аморфных полупроводников. Гордон Мур, один из основателей Intel, написал статью о перспективах технологии, которая в сентябре 1970 года была опубликована в журнале Electronics. На пути к практическому использованию технологии было немало препятствий, но, похоже, все они уже преодолены.

Чтобы понять, насколько привлекательно выглядит PRAM на фоне современных технологий, достаточно сказать, что по быстродействию она примерно в 100000 раз превосходит флэш-память. Скорость записи составляет примерно 10 нс. Что касается надежности, флэш-память, как известно, расходует свой ресурс при каждой операции записи. Большинство чипов выдерживает 10000–100000 операций. У PRAM это значение составляет 100000000.

Среди минусов новой памяти называют невозможность программирования памяти до распайки на плату – высокая температура, сопровождающая процесс пайки, стирает информацию в памяти. Кроме того, для записи данных в PRAM необходимо более высокое напряжение, чем в случае флэш-памяти.

Подтверждая ранее прозвучавшую информацию, источники сообщают, что компании Intel и STMicroelectronics готовятся выпустить первые продукты PRAM уже в этом году. Производством новой памяти займется Numonyx– совместное предприятие Intel и ST Microelectronics, создание которого недавно одобрила Еврокомиссия. Возможной областью применения PRAM, указанной Intel, являются твердотельные накопители (solid state disk, SSD), которые имеют достаточное быстродействие, чтобы предохранить «системы на базе многоядерных процессоров от удушливых ограничений ввода-вывода». Компания Samsung намерена начать производство соответствующих продуктов в 2008 году.