Бесплатно игровая валюта для более 200 игр, а так же ОКи
Корпорация Toshiba объявила об успешной разработке новой туннельной технологии, которая в будущем позволит создавать флэш-память намного большей емкости, на базе нового, 10-нанометрового технологического процесса. Технология была анонсирована 12 декабря, на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Вашингтоне, США. Разработка Toshiba представляет собой туннельный слой, контролирующий перемещение электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), структуре памяти, где электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора. Новая структура представляет собой кремниевый кристалл толщиной 1,2 нм, расположенный между 1-нанометровыми оксидными пленками. Функционирование осуществляется посредством изменения величины напряжения на затворе. Такой тип памяти способен хранить информацию очень долгое время и обеспечивает высокую скорость записи и одновременного удаления битов. Новая технология позволит хранить в одном слое до 100 Гбит (12,5 ГБ) данных. Для сравнения, современная одноуровневая NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить лишь 16 Гбит. Обычно для увеличения емкости производители используют дополнительные уровни (слои). Иными словами, разработка Toshiba позволит изготавливать более маленькие чипы памяти, либо чипы, которые будут вмещать в 6,25 раз больше информации. Современная одноуровневая NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить лишь 16 Гбит Помимо уменьшения размеров, японские инженеры заменили материал нитридного слоя с Si3N4 на Si9N10, что позволило существенно увеличить концентрацию электронов и улучшить работоспособность памяти. Как утверждается, чипы с использованием нового материала могут работать без сбоев более 10 лет. Напоследок стоит отметить другой важный прорыв, совершенный недавно корейской Samsung. В октябре компания заявила о четырехкратном увеличении емкости современных NAND-чипов. Представленная Samsung технология хранит биты данных в многоуровневых ячейках и задействует 30-нм техпроцесс. Таким образом, прорыв Toshiba — использующий техпроцесс втрое меньше — открывает более интересные перспективы.
|